Силовой транзистор IPA70R600P7S

MOSFET на напряжение 600V являются приемниками серии P6 и находят свое применение в мощных импульсных источниках питания, солнечных инверторах и зарядных станциях для электротранспорта. Транзисторы 600V линейки в основном используются в секции ККМ и топологиях LLC и TTF (Two-Transistor Forward).

MOSFET CoolMOS™ P7 отличаются сниженными на 30%-60% значениями Qg и Eoss, что приводит к уменьшению коммутационных потерь и увеличению КПД. Кроме того, благодаря оптимизированному значению RDS(ON) становится возможным использование меньших корпусов при сохранении прежних значений рабочего тока. Таким образом, достигается большая плотность мощности конечного изделия.

Линейка 700V CoolMOS™ P7 адресована в основном для маломощных импульсных источников питания, построенных по топологии обратноходового преобразователя. Это могут быть различные зарядные устройства для портативной электроники, LED драйверы или различные источники питания собственных нужд. Благодаря оптимизации параметров MOSFET достигается выигрыш до 2,4% в КПД и до 16 °C в температуре прибора при прямой замене CoolMOS™ C6 новым P7 В зарядном устройстве, работающем на частоте 140 кГц.

Основные преимущества транзисторов CoolMOS P7:
более мощный встроенный диод, позволяющий работать в LLC схемах;
встроенная ESD 2kV HBM защита цепи затвора;
малый уровень звона в цепи затвора при коммутации;
отличное соотношение Rds (on) и Qg;
широкий выбор корпусов;
универсальность — работают в топологиях PFC, LLC, TTF, Flyback;
хорошее соотношение эффективность/цена.

Основные характеристики:

Корпус: TO220FP
Конфигурация и полярность: N
Максимальное напряжение сток-исток: 700 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса: 8,5 А
Сопротивление открытого канала (мин): 0,6 Ом
Диапазон номинальных напряжений затвора: 10 В
Максимальное напряжение затвора: 16 В
Заряд затвора: 10,5 нКл
Рассеиваемая мощность: 24,9 Вт
Ёмкость затвора: 364 пФ