КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Специальное предложение со склада на продукцию STMicroelectronics — микроэлектронной компании, одной из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных компонентов

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор IGBT
GT50N324
IGBT + Diode, N, 150 W, 50 A

На складе ...
Производитель: TOS
Тип корпуса: TO-3P[N]
код товара: 00-00073184

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 2 шт
от 6 шт

394,50
346,26
322,38

Раздел:
Транзистор IGBT


 

Тип транзистора

 IGBT + Diode

Маркировка

 50N324

Тип управляющего канала

 N

Максимальная рассеиваемая мощность W

 150

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер V

 1000

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор V

 25

Максимальный постоянный ток коллектора A

 50

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое V

 1.9

Максимальная температура перехода ℃

 150

Время нарастания типовое nS

 230

 
 

Мы рекомендуем покупать с этим товаром

Rubber CAP TO-3 - Изоляционный материал
Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-3
Mica Sheet (HOLE) 18x22x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 18x22 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа
Mica Sheet (HOLE) 20x25x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 20x25 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа
Mica Sheet (HOLE) 22x29x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 22x29 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор IGBT


IGBT транзистор - (Insulated Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного транзистора

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП