GT30J122A – это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Toshiba, предназначенный для высокоэффективного переключения в мощных приложениях.

Напряжение коллектор-эмиттер: 600V
Коллекторный ток: 30A
Рассеяние мощности коллектора: 120W

Преимущества и особенности:
Высокая эффективность переключения: Обеспечивает низкие потери на переключение, что способствует повышению эффективности системы.
Низкое насыщение напряжения: Снижает потери мощности и улучшает общую производительность.
Высокая надежность: Рабочая температура до +150°C и высокая устойчивость к токовым перегрузкам обеспечивают надежность в тяжелых условиях.

Применение:
Инверторы: Используется в инверторах для управления электродвигателями и других промышленных приложениях.
Источник бесперебойного питания (ИБП): Применяется в ИБП для обеспечения надежного переключения и управления мощностью.
Преобразователи: Используется в различных преобразователях мощности, включая DC-DC и AC-DC преобразователи.
Электротранспорт: Применяется в системах управления электроприводом для автомобилей и других транспортных средств.