Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину   пассивные SMD-компоненты   SMD-конденсаторы: 0201, 0402, 0603, 0805, 1206, 1210, 1812, 2220 SMD-резисторы: 0201, 0402, 0603, 0805, 1206, 2010, 2512 прецизионные низкоомные резисторные сборки SMD-индуктивности: 0603, 0805, 1206 высоковольтная керамика / керамика класс Y1 и Y2 / металлопленка CL-21X / металлопленка CL-21 MEF / полипропиленовые CBB21 CBB22 / полипропиленовые X2-MKP / высоковольтные CBB81 / для двигателей CBB61 / фазосдвигающие CBB60E / пусковые CBB65 / Полистирольные конденсаторы СL11 / Аксиальные металлопленочные конденсаторы CL-20T / Электролитические конденсаторы / Неполярные / Полимерные (твердотельные) / Тонкие для ЖК / Низкоимпедансные / Конденсаторы SMD, Серия RC

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFET FQU11P06TU-JSM МОП-транзистор с Р-каналом, Напряжение сток-исток (VDS): -60 В, Ток стока (ID): -11 А, Рассеиваемая мощность (PD):45 Вт, TO-251 (IPAK) Временно нет на складе... Производитель: JSMSEMI Тип корпуса: I-Pak код товара: 00-00082223 СКАЧАТЬ PDF Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 35 шт от 155 шт 16,00 14,32 12,94 Раздел: Транзистор полевой MOSFET   Производитель  JSMSEMI Тип транзистора  P-Channel MOSFET Корпус TO-251 (IPAK) Напряжение сток-исток (VDS)  -60 В Ток стока (ID)  -11 А Напряжение затвор-исток (VGS)  ±25 В Сопротивление открытого канала RDS(on)  0.18 Ом @ VGS = -10 В Рассеиваемая мощность (PD) 45 Вт Пороговое напряжение затвора VGS(th)  -2 В ... -4 В Входная ёмкость (Ciss) 870 пФ Выходная ёмкость (Coss) 200 пФ Обратная передаточная ёмкость (Crss)  110 пФ Заряд затвора (Qg)  22 нКл Рабочая температура  -55...+150 °C     Мы рекомендуем покупать с этим товаром Флюс NC-559-ASM - Флюс для пайки Стандартный флюс для реболлинга и других работ с SMD/BGA компонентами. Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор с изолированным затвором. MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим полем). Это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление. Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП