Производитель

 onsemi

Технология

 Si

Вид монтажа

 Through Hole

Тип корпуса

 TO-3PN-3

Полярность транзистора

 N-Channel

Количество каналов

 1 Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 100 V

Id - непрерывный ток утечки

 140 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 10 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

 - 25 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

 2 V

Qg - заряд затвора

 285 nC

Рабочая температура

 - 55 C ... + 175 C

Pd - рассеивание мощности

 375 W

Канальный режим

 Enhancement

Конфигурация

 Single

Время спада

 360 ns

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

 80 S

Время нарастания

 940 ns

Тип транзистора

 1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

 350 ns

Типичное время задержки при включении

 75 ns