Категория продукта

 Биполярные транзисторы - BJT

Монтаж

 SMD/SMT

Корпус

 SOT-23-3

Полярность транзистора

 PNP

Конфигурация

 Одиночная

Максимальный постоянный ток коллектора

 1 А

Напряжение коллектор-эмиттер VCEO макс.

 40 В

Напряжение коллектор-база VCBO

 40 В

Напряжение эмиттер-база VEBO

 7 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 500 мВ

Рассеиваемая мощность Pd

 500 мВт

Произведение коэффициента усиления полосы пропускания fT

 150 МГц

Минимальная рабочая температура

 -55 °C

Максимальная рабочая температура

 +150 °C

Постоянный ток коллектора

 -1 А

Коэффициент усиления постоянного тока коллектора/базы hFE мин.

 300 при 1 мА, 5 В, 300 при 100 мА, 5 В, 250 при 500 мА, 5 В, 160 при 1 А, 5 В, 30 при 2 А, 5 В

Коэффициент усиления постоянного тока hFE макс.

 300 при 1 мА, 5 В

Высота

 1 мм

Длина

 3,05 мм

Ширина

 1,4 мм