Технология

 Si

Вид монтажа

 SMD/SMT

Тип корпуса

 SOT-23-3

Полярность транзистора

 NPN

Конфигурация

 Single

Максимальный постоянный ток коллектора

 150 mA

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 450 V

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 500 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 7 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 90 mV

Pd - рассеивание мощности

 625 mW

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

 50 MHz

Рабочая температура

 - 55 C … + 150 C

Непрерывный коллекторный ток

 150 mA

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 50 at 30 mA, 10 V

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

 50 at 30 mA, 10 V