КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Низкопрофильные источники питания серий LRS мощностью
35, 50, 75, 100, 150, 200 и 350 Вт
LRS-35 LRS-50 LRS-75 LRS-100 LRS-150 LRS-200 LRS-350

     

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор полевой MOSFET
FMH23N50E
Транзистор N-MOS 500V 23A 0.21 om TO3P

На складе ...
Производитель: FUJI
Тип корпуса: TO-3P
код товара: 00-00045042

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 7 шт
от 30 шт


от 61 шт

80,50
70,58
65,72

62,43

Раздел:
Транзистор полевой MOSFET


 

Тип транзистора

 MOSFET

Полярность

 N

Максимальная рассеиваемая мощность

 315 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток

 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток

 30 V

Пороговое напряжение включения

 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока

 23 A

Максимальная температура канала

 150 °C

Общий заряд затвора

 93 nC

Время нарастания

 13 ns

Выходная емкость

 330 pf

 
 

Мы рекомендуем покупать с этим товаром

Rubber CAP TO-3 - Изоляционный материал
Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-3
Mica Sheet (HOLE) 18x22x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 18x22 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа
Mica Sheet (HOLE) 20x25x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 20x25 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа
Mica Sheet (HOLE) 22x29x0.12 - Изоляционный материал
Прокладка слюдяная (слюда) 22x29 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа



Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор полевой MOSFET


Полевой транзистор с изолированным затвором.
MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим полем). Это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП