Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину Серии источников питания HDR на DIN рейку с ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения 100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт HDR-15   HDR-30   HDR-60   HDR-100   HDR-150

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор IGBT FDS9945 Транзистор: N-MOSFET x2,полевой 60В, 3,5А, 2Вт, SO8 На складе ... Производитель: FAIR Тип корпуса: SO8 код товара: 00-00032667 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 35 шт от 150 шт 16,50 14,28 13,29 Раздел: Транзистор IGBT     Продукт  МОП-транзистор Монтаж  SMD/SMT Корпус  SOIC-8 Полярность транзистора  N-канальный Количество каналов  2 канала Vds — напряжение пробоя сток-исток  60 В Id — непрерывный ток стока  3,5 А Rds включен – сопротивление сток-исток  100 мОм Vgs - Напряжение затвор-исток  - 20 В, + 20 В Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток  1 В Qg — заряд ворот  13 нКл Минимальная рабочая температура  - 55 С. Максимальная рабочая температура  + 175 С Pd — Рассеиваемая мощность  2 Вт Конфигурация  Двойная Время спада  3 нс Прямая крутизна - мин.  8,6 S Время нарастания  4,3 нс Тип транзистора  2 N-канальный Типичное время задержки выключения  19 нс Типичное время задержки включения  7 нс       Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор IGBT IGBT транзистор - (Insulated Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного транзистора Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе   Рекомендуем для покупки с этим товаром Переходник - Адаптер ZIF для установки микросхем в корпусе SOIC8, с шириной корпуса 150 mil, шагом выводов 1,27 мм в стандартную DIP панель. Панелька для микросхем в корпусе SOIC. Особенности: Шаг выводов: 1,27мм. Ширина корпуса SOIC: 150 mil (3,81 мм, среднее). Стандартные контакты DIP - (PLS4 в 2 ряда), шаг выводов 2,54 мм, для установки в DIP панель программатора. Технология ZIF (Zero Insertion Force) - отсутствие усилия на контакты при установке/изъятии микросхемы из панельки. Для установки/изъятия микросхемы, следует нажать на верхнюю часть корпуса. При этом, подпружиненные контакты расходятся, освобождая микросхему для безопасной замены.

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП