КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
конденсаторы - выборка по номиналу ёмкости
перейти в раздел "Конденсаторы"
0,033mkf -
0,047mkf -
0,068mkf -
0,01mkf -
0,1mkf -
0,22mkf -
0,33mkf -
0,47mkf -
0,68mkf -
1mkf -
2,2mkf -
3,3mkf -
4,7mkf -
10mkf -
22mkf -
33mkf -
47mkf -
68mkf -
82mkf -
100mkf -
120mkf -
150mkf -
220mkf -
330mkf -
470mkf -
560mkf -
680mkf -
820mkf -
1000mkf -
1500mkf -
2200mkf -
3300mkf -
4700mkf -
6800mkf -
10000mkf -
15000mkf -
22000mkf -
33000mkf -
47000mkf -
68000mkf -
100000mkf -
220000mkf -
330000mkf -
470000mkf -
680000mkf -
1000000mkf
Все
0,033
0,047
0,068
0,01
0,1
0,22
0,33
0,47
0,68
1
2,2
3,3
4,7
10
22
33
47
68
82
100
120
150
220
330
470
560
680
820
1000
1500
2200
3300
4700
6800
10000
15000
22000
33000
47000
68000
100000
220000
330000
470000
680000
1000000
Напряжение, В
Все
6,3v
10v
16v
25v
35v
50v
63v
100v
160v
200v
250v
350v
400v
450v
Диаметр, мм
Все
3
4
5
6,3
8
10
11
12
12.5
13
16
18
22
25
30
34
35
40
51
64
76
89
90
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор IGBTFDS9431A Транзистор полевой P-канальный 20В 3.5А 2.5ВтНа складе ... Производитель: FAIR Тип корпуса: SO8 код товара: 00-00032664 Кол-во
Цена без НДС, грн
Купить
Раздел:Транзистор IGBT
Продукт
МОП-транзистор
Монтаж
SMD/SMT
Корпус
SO-8
Полярность
транзистора
P-канал
Количество каналов
1 канал
Vds — напряжение
пробоя сток-исток
20 В
Id — непрерывный ток
стока
3,5 А
Rds On —
сопротивление сток-исток
130 мОм
Vgs - Напряжение
затвор-исток
- 8 В, + 8 В
Vgs th — пороговое
напряжение затвор-исток
1 В
Qg — заряд затвора
8,5 нКл
Минимальная рабочая
температура
- 55 С.
Максимальная рабочая
температура
+ 150 С
Pd — Рассеиваемая
мощность
2,5 Вт
Конфигурация
Одиночная
Время спада
21 нс
Прямая крутизна -
мин.
6,5 S
Время нарастания
20 нс
Тип транзистора
1 P-канал
Типичное время
задержки выключения
31 нс
Типичное время
задержки включения
6,5 нс
Транзистор IGBT
IGBT транзистор - (Insulated
Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную
структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого
транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота
управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое
падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного
транзистора
Транзистор IGBT Пластиковые
Рекомендуем для покупки с этим товаром
Переходник -
Адаптер ZIF для установки микросхем в корпусе SOIC8, с шириной корпуса
150 mil, шагом выводов 1,27 мм в стандартную DIP панель. Панелька для
микросхем в корпусе SOIC.
Особенности:
Шаг выводов: 1,27мм.
Ширина корпуса SOIC: 150 mil (3,81 мм, среднее).
Стандартные контакты DIP - (PLS4 в 2 ряда), шаг выводов 2,54 мм, для
установки в DIP панель программатора.
Технология ZIF (Zero Insertion Force) - отсутствие усилия на контакты
при установке/изъятии микросхемы из панельки.
Для установки/изъятия микросхемы, следует нажать на верхнюю часть
корпуса. При этом, подпружиненные контакты расходятся, освобождая
микросхему для безопасной замены.
Поставляемые компоненты
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП