Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину Серии источников питания HDR на DIN рейку с ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения 100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт HDR-15   HDR-30   HDR-60   HDR-100   HDR-150

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFET FDPF55N06 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 55 А, 0.018 Ом На складе ... Производитель: FAIR Тип корпуса: TO-220F код товара: 00-00069859 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 8 шт от 33 шт 75,50 65,95 61,40 Раздел: Транзистор полевой MOSFET   Полярность  N Максимальная рассеиваемая мощность  48 W Предельно допустимое напряжение сток-исток  60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток  25 V Пороговое напряжение включения  4 V Максимально допустимый постоянный ток стока  55 A Максимальная температура канала  150 °C Общий заряд затвора  30 nC     Мы рекомендуем покупать с этим товаром Rubber CAP TO-220 - Изоляционный материал Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-220 TC-025-CERAMIC-TO-220 - Изоляционный материал Керамическая пластина из (алюмооксидной керамики) Al2O3 для высокотемпературного применения. Применение: ТО-220. Размеры: (0.635)/1mm*14mm*20mm NIPPEL-TO220-WHITE - Изоляционный материал Изоляционная втулка для TO220 SMICA TO220 - Изоляционный материал Прокладка силиконовая 18x13мм для TO220 TO220-SET - Изоляционный материал Набор для изоляции транзисторов TO220 Mica Sheet (HOLE) 13x18x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 13x18 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор IGBT IGBT транзистор - (Insulated Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного транзистора Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП