Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину Низкопрофильные источники питания серий LRS мощностью 35, 50, 75, 100, 150, 200 и 350 Вт LRS-35 LRS-50 LRS-75 LRS-100 LRS-150 LRS-200 LRS-350

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор полевой MOSFET FDA24N40F Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 13,8А, Idm: 92А, 235Вт На складе ... Производитель: ONS Тип корпуса: TO-3P[N] код товара: 00-00070916 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 3 шт от 12 шт 207,50 182,08 169,52 Раздел: Транзистор полевой MOSFET   Компания ON Semiconductor Corporation относится к тем производителям электронных компонентов, продукция которых может быть использована в широком круге «общих применений». В производстве ON Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные компоненты составляют приблизительно равные доли.   Производитель ONSEMI Тип транзистора N-MOSFET Полярность полевой Напряжение сток-исток 400В Ток стока 13,8А Ток стока в импульсном режиме 92А Рассеиваемая мощность 235Вт Корпус TO3PN Напряжение затвор-исток ±30В Сопротивление в открытом состоянии 190мОм Монтаж THT Заряд затвора 60нC Вид упаковки туба Вид канала обогащенный       Мы рекомендуем покупать с этим товаром Rubber CAP TO-3 - Изоляционный материал Изоляционный силиконовый кожух для компонетов в корпусе ТО-3 Mica Sheet (HOLE) 18x22x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 18x22 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа Mica Sheet (HOLE) 20x25x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 20x25 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа Mica Sheet (HOLE) 22x29x0.12 - Изоляционный материал Прокладка слюдяная (слюда) 22x29 мм. Толщина 0.12 мм. Отверстие для крепежа Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор IGBT IGBT транзистор - (Insulated Gate Bipolar Transistor) представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Преимуществом подобной структуры является простота управления полевым транзистором (управление напряжением) и низкое падение напряжения в состоянии проводимости у биполярного транзистора Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП