КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET FCPF11N60NT Транзистор, N-канал 600В 10.8А TO-220F
На складе ... Производитель: ONS-FAIR Тип корпуса: TO-220F код товара: 00-00057010
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
Компания
ON Semiconductor Corporation
относится к тем производителям электронных компонентов, продукция
которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В производстве ON
Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные
компоненты составляют приблизительно равные доли. |
Категория продукта |
МОП-транзистор
|
Технология |
Si |
Вид монтажа |
Through Hole
|
Тип корпуса |
TO-220-3
|
Полярность
транзистора |
N-Channel
|
Количество каналов |
1 Channel
|
Vds - напряжение
пробоя сток-исток |
600 V
|
Id - непрерывный ток
утечки |
10.8 A
|
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток |
255 mOhms
|
Vgs - напряжение
затвор-исток |
- 30 V, + 30 V
|
Vgs th - пороговое
напряжение затвор-исток |
2 V |
Qg - заряд затвора |
35.6 nC
|
Минимальная рабочая
температура |
- 55 C
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 C
|
Pd - рассеивание
мощности |
32.1 W
|
Канальный режим |
Enhancement
|
Коммерческое
обозначение |
SupreMOS
|
Серия |
FCPF11N60NT
|
Конфигурация |
Single
|
Время спада |
10 ns
|
Крутизна
характеристики прямой передачи - Мин. |
13.5 S
|
Высота |
16.07 mm
|
Длина |
10.36 mm
|
Тип продукта |
MOSFET
|
Время нарастания |
9.1 ns
|
Подкатегория |
MOSFETs
|
Тип транзистора |
1 N-Channel
|
Тип |
N-Channel MOSFET
|
Типичное время
задержки выключения |
42 ns
|
Типичное время
задержки при включении |
13.6 ns |
| | |
|
Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор
с изолированным затвором.
MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник
Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим
полем). Это полевой транзистор, затвор
которого электрически изолирован от проводящего канала
полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора
очень высокое входное сопротивление. |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП