КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
пассивные
SMD-компоненты |
конденсаторы |
SMD-конденсаторы:
0402,
0603,
0805,
1206
SMD-резисторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
2010,
2512
прецизионные
низкоомные
резисторные сборки
SMD-индуктивности: 0603,
0805,
1206 |
высоковольтная
керамика /
керамика класс Y1 и Y2 /
металлопленка
CL-21X /
металлопленка CL-21 MEF /
полипропиленовые CBB21 CBB22 /
полипропиленовые
X2-MKP /
высоковольтные CBB81 /
для двигателей
CBB61 / фазосдвигающие
CBB60E /
пусковые CBB65 /
Полистирольные конденсаторы СL11 /
Аксиальные
металлопленочные конденсаторы CL-20T /
Электролитические конденсаторы
/
Неполярные
/ Полимерные (твердотельные)
/ Тонкие для
ЖК /
Низкоимпедансные
/ Конденсаторы SMD, Серия RC |
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET CSD19531Q5A MOSFET N-CH 100V 100A 8SON Временно нет на складе...
Производитель: TI Тип корпуса: VSONP-8(5x6) код товара: 00-00068190
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
Texas Instruments — американская компания,
производитель полупроводниковых приборов, микросхем, электроники и
изделий на их основе. Расположена в Далласе |
Вид монтажа |
SMD/SMT
|
Полярность
транзистора |
N-Channel
|
Количество каналов |
1 Channel
|
Vds - напряжение
пробоя сток-исток |
100 V
|
Id - непрерывный ток
утечки |
100 A
|
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток |
6.4 mOhms
|
Vgs - напряжение
затвор-исток |
- 20 V, + 20 V
|
Vgs th - пороговое
напряжение затвор-исток |
2.7 V
|
Qg - заряд затвора |
37 nC
|
Минимальная рабочая
температура |
- 55 C
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 C
|
Pd - рассеивание
мощности |
3.3 W
|
Канальный режим |
Enhancement
|
Конфигурация |
Single
|
Время спада |
5.2 ns
|
Высота |
1 mm |
Длина |
6 mm |
Время нарастания |
5.8 ns
|
Серия |
CSD19531Q5A
|
Тип транзистора |
1 N-Channel
|
Типичное время
задержки выключения |
18.4 ns
|
Типичное время
задержки при включении |
6 ns |
Ширина |
4.9 mm
|
Вес изделия |
87.800 mg
|
| | |
|
Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор
с изолированным затвором.
MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник
Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим
полем). Это полевой транзистор, затвор
которого электрически изолирован от проводящего канала
полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора
очень высокое входное сопротивление. |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП