Каталог продукции от CRMICRO - MOSFET, IGBT
Компания является ведущим китайским предприятием по производству полупроводников, способным комплексно выполнять всю производственную цепочку, такую ​​как проектирование интегральных схем, производство пластин, испытания корпусов и так далее. В настоящее время основной бизнес можно поделить на два сектора: продукты и решения, создание и сервисы. Компания может самостоятельно разрабатывать продукцию и контролировать производственный процесс. Кроме того, компания обладает сильными возможностями в области технологии и производственного процесса в области дискретных устройств и интегральных схем.

Тип транзистора

 MOSFET

Полярность

 N

Максимальная рассеиваемая мощность

 254 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток

 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток

 25 V

Пороговое напряжение включения

 3.6 V

Максимально допустимый постоянный ток стока

 220 A

Максимальная температура канала

 150 °C

Общий заряд затвора

 183 nC

Время нарастания

 118 ns

Выходная емкость

 1208 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора

 0.0029 Ohm