Каталог продукции от CRMICRO - MOSFET, IGBT
Компания является ведущим китайским предприятием по производству полупроводников, способным комплексно выполнять всю производственную цепочку, такую ​​как проектирование интегральных схем, производство пластин, испытания корпусов и так далее. В настоящее время основной бизнес можно поделить на два сектора: продукты и решения, создание и сервисы. Компания может самостоятельно разрабатывать продукцию и контролировать производственный процесс. Кроме того, компания обладает сильными возможностями в области технологии и производственного процесса в области дискретных устройств и интегральных схем.

Тип транзистора

 MOSFET

Полярность

 N

Максимальная рассеиваемая мощность

 227 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток

 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток

 20 V

Пороговое напряжение включения

 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока

 120 A

Максимальная температура канала

 150 °C

Общий заряд затвора

 117 nC

Время нарастания

 56 ns

Выходная емкость

 1026 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора

 0.004 Ohm