Каталог продукции от CRMICRO - MOSFET, IGBT
Компания является ведущим китайским предприятием по производству полупроводников, способным комплексно выполнять всю производственную цепочку, такую ​​как проектирование интегральных схем, производство пластин, испытания корпусов и так далее. В настоящее время основной бизнес можно поделить на два сектора: продукты и решения, создание и сервисы. Компания может самостоятельно разрабатывать продукцию и контролировать производственный процесс. Кроме того, компания обладает сильными возможностями в области технологии и производственного процесса в области дискретных устройств и интегральных схем.

Тип транзистора

 MOSFET

Тип канала управления

 N-канальный

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd)

 156 Вт

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

 80 В

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

 20 В

Максимальный ток стока (Id)

 189 А

Максимальная температура перехода (Tj)

 150 °C

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th))

 3,8 В

Полный заряд затвора (Qg)

 76 нКл

Время нарастания (tr)

 92 нс

Выходная ёмкость (Coss)

 990 пФ

Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(on))

 0,003 Ом

Корпус

 DFN5×6