Каталог продукции от CRMICRO - MOSFET, IGBT
Компания является ведущим китайским предприятием по производству полупроводников, способным комплексно выполнять всю производственную цепочку, такую ​​как проектирование интегральных схем, производство пластин, испытания корпусов и так далее. В настоящее время основной бизнес можно поделить на два сектора: продукты и решения, создание и сервисы. Компания может самостоятельно разрабатывать продукцию и контролировать производственный процесс. Кроме того, компания обладает сильными возможностями в области технологии и производственного процесса в области дискретных устройств и интегральных схем.

Структура

 IGBT + Diode

Схема соединения

 Одиночный

Макс. напряжение коллектор-эмиттер

 650 V

Напряжение затвор - эмиттер

 ±20 V

Макс. ток коллектора (25°C)

 80 А

Макс. ток коллектора (100°C)

 40 А

Макс. постоянный ток диода (100°С)

 20 А

Время восстановления диода (25°С/tmax)

 80 нс (typ)

Мощность рассеяния при 25°C

 280 Вт

Рабочая температура

 -40°C ... +150°C