Каталог продукции от CRMICRO - MOSFET, IGBT
Компания является ведущим китайским предприятием по производству полупроводников, способным комплексно выполнять всю производственную цепочку, такую ​​как проектирование интегральных схем, производство пластин, испытания корпусов и так далее. В настоящее время основной бизнес можно поделить на два сектора: продукты и решения, создание и сервисы. Компания может самостоятельно разрабатывать продукцию и контролировать производственный процесс. Кроме того, компания обладает сильными возможностями в области технологии и производственного процесса в области дискретных устройств и интегральных схем.

Тип транзистора

 IGBT + Diode

Тип управляющего канала

 N

Максимальная рассеиваемая мощность

 333 W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер

 1200 V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор

 20 V

Максимальный постоянный ток коллектора

 80 A

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое

 1.9 V

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер

 7 V

Максимальная температура перехода

 175 ℃

Время нарастания типовое

 47.5 nS

Выходная емкость, типовая

 131 pF

Общий заряд затвора, typ

 208 nC