Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)
Vz - напряжение
туннельного пробоя p-n-перехода
17.1 V
Тип корпуса
DO-35
Pd - рассеивание
мощности
500 mW
Допустимое
отклонение напряжения
5 %
Температурный
коэффициент напряжения
12.4 mV/K
Зенеровский ток
50 nA
Zz - полное
сопротивление диода при лавинном пробое
40 Ohms
Рабочая температура
- 65 C ... + 200
С
Ток испытаний
5 mA
Ir - обратный ток
50 nA
Vf - прямое
напряжение
900 mV
Поставляемые компоненты
^ Наверх DIV >
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина