Категория продукта

 МОП-транзистор

Производитель

 Infineon

Технология

 Si

Вид монтажа

 SMD/SMT

Количество каналов

 1 Channel

Полярность транзистора

 P-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток

 - 250 V

Id - непрерывный ток утечки

 - 260 mA

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

 15 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

 - 1 V

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Конфигурация

 Single Dual Drain

Канальный режим

 Enhancement

Время спада

 6 ns

Высота

 1.6 mm

Длина

 6.5 mm

Pd - рассеивание мощности

 1.8 W

Продукт

 MOSFET Small Signal

Время нарастания

 6 ns

Тип транзистора

 1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

 67 ns

Типичное время задержки при включении

 5 ns

Ширина

 3.5 mm