КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET BSP129H6327XTSA1 MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 240 В: Iс(25°C): 350 мА: Rси(вкл): 4.2 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: SOT-223 код товара: 00-00031562
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
Категория продукта |
МОП-транзистор
|
Производитель |
Infineon
|
Вид монтажа |
SMD/SMT
|
Корпус |
SOT-223-4
|
Количество каналов |
1 Channel
|
Полярность
транзистора |
N-Channel
|
Vds - напряжение
пробоя сток-исток |
240 V
|
Id - непрерывный ток
утечки |
350 mA
|
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток |
4.2 Ohms
|
Vgs th - пороговое
напряжение затвор-исток |
- 2.1 V
|
Vgs - напряжение
затвор-исток |
20 V |
Qg - заряд затвора |
5.7 nC
|
Минимальная рабочая
температура |
- 55 C
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 C
|
Конфигурация |
Single
|
Квалификация |
AEC-Q100
|
Канальный режим |
Depletion
|
Торговая марка |
Infineon
Technologies |
Время спада |
35 ns
|
Крутизна
характеристики прямой передачи - Мин. |
180 mS
|
Высота |
1.6 mm
|
Длина |
6.5 mm
|
Pd - рассеивание
мощности |
1.8 W
|
Время нарастания |
4.1 ns
|
Серия |
BSP129
|
Тип транзистора |
1 N-Channel
|
Типичное время
задержки выключения |
22 ns
|
Типичное время
задержки при включении |
4.4 ns
|
Ширина |
3.5 mm
|
Другие названия
товара № |
BSP129 H6327
SP001058580 |
| | |
|
Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор
с изолированным затвором.
MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник
Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим
полем). Это полевой транзистор, затвор
которого электрически изолирован от проводящего канала
полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора
очень высокое входное сопротивление. |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП