КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Низкопрофильные источники питания серий LRS мощностью
35, 50, 75, 100, 150, 200 и 350 Вт
LRS-35 LRS-50 LRS-75 LRS-100 LRS-150 LRS-200 LRS-350

     

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор биполярный
BFG540.215
Биполярный транзистор - SOT143B, Тип: NPN, UКЭ(макс): 15 В, IК(макс): 120 мА, Pрасс: 400 мВт, Fгран: 9 ГГц, h21: 100...250

На складе ...
Производитель: NXP
Тип корпуса: SOT143
код товара: 00-00031520

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 32 шт
от 136 шт


от 272 шт

18,00
15,73
14,71

13,97

Раздел:
Транзистор биполярный


 

Наименование производителя

 BFG540

Маркировка

 N37

Тип материала

 Si

Полярность

 NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)

 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb)

 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce)

 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb)

 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic)

 0.12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj)

 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft)

 9000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc)

 0.9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe)

 100

Корпус транзистора

 SOT143

 
 

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор биполярный


Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП