STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна
из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов
Производитель
STMicroelectronics
Категория продукта
Биполярные
транзисторы - BJT
Вид монтажа
Through Hole
Тип корпуса
TO-220-3
Полярность
транзистора
NPN
Конфигурация
Single
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение
коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение
эмиттер-база (VEBO)
5 V
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
1 V
Максимальный
постоянный ток коллектора
12 A
Произведение
коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
3 MHz
Рабочая температура
- 65...150 C
Коэффициент усиления
по постоянному току (hFE), макс.
400
Непрерывный
коллекторный ток
12 A
Коллектор
постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
Транзисторы
производства STMicroelectronics.
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна из
крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей
различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных
компонентов.
Транзистор биполярный NPN производства STM
Биполярные транзисторы изготавливаются из кремния или германия.
Работа биполярных транзисторов основана на использовании в качестве носителей заряда как
электронов, так и дырок. Одну из крайних областей транзисторной
структуры называют эмиттером. Промежуточную область называют базой,
а другую крайнюю коллектором. Эти три электрода образуют два p-n перехода.
NPN транзисторы открываются напряжением положительной полярности.
Поставляемые компоненты
^ Наверх
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина
