КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Низкопрофильные источники питания серий LRS мощностью
35, 50, 75, 100, 150, 200 и 350 Вт
LRS-35 LRS-50 LRS-75 LRS-100 LRS-150 LRS-200 LRS-350

     

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
 Транзистор биполярный
BD237
Биполярный транзистор - [SOT32]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 100 В: UКЭ(пад): 600 мВ: IК(макс): 2 А: Pрасс: 25 Вт: Fгран: 3 МГц
На складе ...
Производитель: ST
Тип корпуса: TO-126
код товара: 00-00050483

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 31 шт
от 135 шт


от 271 шт

18,50
15,90
14,80

14,06
Раздел:
Транзистор биполярный
 

STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных компонентов

Корпус

 ТО-126

Тип проводимости и конфигурация

NPN

Напряжение КЭ максимальное

 100 В.

Напряжение падения КЭ в открытом состоянии

 600 мВ.

Ток коллектора

 2 А.

Рассеиваемая мощность

 25 Вт.

Граничная рабочая частота

 3 МГц

Коэффициент усиления по току

 от 40
 
 

Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзисторы производства STMicroelectronics.
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных компонентов.

Биполярные транзисторы NPN
Биполярные транзисторы PNP

Транзисторы MOSFET
Транзисторы IGBT
Транзисторы RF силовые

Полный перечень транзисторов STM

Транзистор биполярный NPN производства STM
Биполярные транзисторы изготавливаются из кремния или германия. Работа биполярных транзисторов основана на использовании в качестве носителей заряда как электронов, так и дырок. Одну из крайних областей транзисторной структуры называют эмиттером. Промежуточную область называют базой, а другую крайнюю коллектором. Эти три электрода образуют два p-n перехода. NPN транзисторы открываются напряжением положительной полярности.


Поставляемые компоненты










^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП