КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Серии источников питания HDR на DIN рейку с ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения 100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15   HDR-30   HDR-60   HDR-100   HDR-150  

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор биполярный
BD139-10
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 12.5 Вт, 1.5 А, 63 hFE

На складе ...
Производитель: ST
Тип корпуса: TO-126
код товара: 00-00061101

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 38 шт
от 163 шт

15,00
13,16
12,25

Раздел:
Транзистор биполярный


 

STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных компонентов


Технические характеристики

Корпус

 TO126

Тип проводимости и конфигурация

 NPN

Комплементарная пара

 BD140

Рассеиваемая мощность

 12,5Вт

Напряжение КЭ максимальное

 80В

Напряжение падения КЭ в открытом состоянии

 500мВ

Ток коллектора

 1,5А

Коэффициент усиления по току

 63...160


 

 
 



Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзисторы производства STMicroelectronics.
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных компонентов.

Биполярные транзисторы NPN
Биполярные транзисторы PNP

Транзисторы MOSFET
Транзисторы IGBT

Транзисторы RF силовые


Полный перечень транзисторов STM

Транзистор биполярный NPN производства STM
Биполярные транзисторы изготавливаются из кремния или германия. Работа биполярных транзисторов основана на использовании в качестве носителей заряда как электронов, так и дырок. Одну из крайних областей транзисторной структуры называют эмиттером. Промежуточную область называют базой, а другую крайнюю коллектором. Эти три электрода образуют два p-n перехода. NPN транзисторы открываются напряжением положительной полярности.


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП