Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)
Производитель
Nexperia
Категория продукта
Биполярные
транзисторы - BJT
Вид монтажа
SMD/SMT
Тип корпуса
SOT-89-3
Полярность
транзистора
PNP
Конфигурация
Single
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение
коллектор-база (VCBO)
45 V
Напряжение
эмиттер-база (VEBO)
5 V
Максимальный
постоянный ток коллектора
1 A
Произведение
коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
145 MHz
Рабочая температура
- 65 C ... + 150
C
Коэффициент усиления
по постоянному току (hFE), макс.
63 at 5 mA at 2 V
Коллектор
постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки.
.jpg)
