|
КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
 |
| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор биполярный
BCX41E6327HTSA1
Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 125 В: IК(макс): 800 мА: Pрасс: 330 мВт: Fгран: 100 МГц: h21: от 25
На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: SOT23
код товара: 00-00031435
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор биполярный
| | | |
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
|
Категория продукта |
Биполярные
транзисторы - BJT |
|
Производитель |
Infineon
|
|
Вид монтажа |
SMD/SMT
|
|
Корпус |
SOT-23-3
|
|
Полярность
транзистора |
NPN |
|
Конфигурация |
Single
|
|
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс. |
125 V
|
|
Напряжение
коллектор-база (VCBO) |
125 V
|
|
Напряжение
эмиттер-база (VEBO) |
5 V |
|
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер |
0.9 V
|
|
Максимальный
постоянный ток коллектора |
1 A |
|
Произведение
коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) |
100 MHz
|
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 C
|
|
Серия |
BCX41
|
|
Торговая марка |
Infineon
Technologies |
|
Непрерывный
коллекторный ток |
800 mA
|
|
Минимальная рабочая
температура |
- 65 C
|
|
Pd - рассеивание
мощности |
330 mW
|
|
Квалификация |
AEC-Q100
|
|
Другие названия
товара № |
41 BCX BCX41
E6327 SP000010894 |
| | |
|
 |
Транзистор биполярный
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки. |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
.jpg)
