Категория продукта

 Биполярные транзисторы - BJT

Производитель

 Infineon

Вид монтажа

 SMD/SMT

Корпус

 SOT-23-3

Полярность транзистора

 NPN

Конфигурация

 Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 32 V

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 32 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 0.2 V

Максимальный постоянный ток коллектора

 200 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

 250 MHz

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Серия

 BCW60

Торговая марка

 Infineon Technologies

Непрерывный коллекторный ток

 100 mA

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 250

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

 460

Высота

 1 mm

Длина

 2.9 mm

Минимальная рабочая температура

 - 65 C

Pd - рассеивание мощности

 330 mW

Квалификация

 AEC-Q100

Ширина

 1.3 mm

Другие названия товара №

 BCW60 BCW60CE6327HTSA1 SP000010548