Уважаемые покупатели. В связи с систематическими отключениями электроэнергии возможны задержки с отгрузкой оплаченных заказов. Надеемся на ваше понимание
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
Макс. напр. к-б при
заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
50
Макс. напр. к-э при
заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
50
Максимально
допустимый ток к ( Iк макс.А)
0.5
Граничная частота
коэффициента передачи тока fгр.МГц
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки.