Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
Производитель: Infineon Technologies
Вредные вещества: RoHS Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V
Сопротивление базы (Ом): 22K
Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K
Усиление постоянного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Ток коллектора (макс): 100mA
Модуляция частот: 150MHz
Мощность макcимальная: 200mW
Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Корпус: SOT-23
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки.