|
КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
пассивные
SMD-компоненты |
|
|
SMD-конденсаторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
1210,
1812,
2220
SMD-резисторы:
0201,
0402,
0603,
0805,
1206,
2010,
2512
прецизионные
низкоомные
резисторные сборки
SMD-индуктивности: 0603,
0805,
1206 |
высоковольтная
керамика /
керамика класс Y1 и Y2 /
металлопленка
CL-21X /
металлопленка CL-21 MEF /
полипропиленовые CBB21 CBB22 /
полипропиленовые
X2-MKP /
высоковольтные CBB81 /
для двигателей
CBB61 / фазосдвигающие
CBB60E /
пусковые CBB65 /
Полистирольные конденсаторы СL11 /
Аксиальные
металлопленочные конденсаторы CL-20T /
Электролитические конденсаторы
/
Неполярные
/ Полимерные (твердотельные)
/ Тонкие для
ЖК /
Низкоимпедансные
/ Конденсаторы SMD, Серия RC |
|
 |
| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор биполярный
BC860C.215
Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 100 МГц, 250 мВт, 100 мА, 420 hFE
На складе ...
Производитель: NXP
Тип корпуса: SOT23
код товара: 00-00031394
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор биполярный
| | | |
|
Категория продукта |
Биполярные
транзисторы - BJT |
|
Монтаж |
SMD/SMT |
|
Корпус |
SOT-23-3 |
|
Полярность
транзистора |
PNP |
|
Конфигурация |
Одиночная |
|
Максимальный
постоянный ток коллектора |
100 мА |
|
Напряжение
коллектор-эмиттер VCEO макс. |
45 В |
|
Напряжение
коллектор-база VCBO |
50 В |
|
Напряжение
эмиттер-база VEBO |
5 В |
|
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер |
250 мВ |
|
Рассеиваемая мощность
Pd |
250 мВт |
|
Произведение
коэффициента усиления полосы пропускания fT |
100 МГц |
|
Минимальная рабочая
температура |
-65 °C |
|
Максимальная рабочая
температура |
+150 °C |
|
Коэффициент усиления
постоянного тока коллектора/базы hFE мин. |
420 при 2 мА, 5 В |
|
Коэффициент усиления
постоянного тока hFE макс. |
420 при 2 мА, 5 В |
|
Высота |
1 мм |
|
Длина |
3 мм |
|
Ширина |
1,4 мм |
| | |
|
 |
Транзистор биполярный
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки. |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
.jpg)
