Компания
ON Semiconductor Corporation
относится к тем производителям электронных компонентов, продукция
которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В производстве ON
Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные
компоненты составляют приблизительно равные доли.
Категория продукта
Биполярные
транзисторы - BJT
Монтаж
SMD/SMT
Корпус
SOT-23-3
Полярность
транзистора
PNP
Конфигурация
Одиночная
Максимальный
постоянный ток коллектора
100 мА
Напряжение
коллектор-эмиттер VCEO макс.
30 В
Напряжение
коллектор-база VCBO
30 В
Напряжение
эмиттер-база VEBO
5 В
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
650 мВ
Рассеиваемая мощность
Pd
225 мВт
Произведение
коэффициента усиления полосы пропускания fT
100 МГц
Минимальная рабочая
температура
-55 °C
Максимальная рабочая
температура
+150 °C
Постоянный ток
коллектора
-100 мА
Коэффициент усиления
постоянного тока коллектора/базы hfe мин.
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки.