Как купить...          Обратите внимание: запущена новая версия сайта Перейти в корзину Специальное предложение на реле производства компании HONGFA со склада в Харькове.

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия Транзистор биполярный BC850CW.115 Биполярный транзистор - [SOT-323-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 45 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 200 мВт: Fгран: 100 МГц: h21: 420...800 На складе ... Производитель: NEX-NXP Тип корпуса: SOT323 код товара: 00-00058951 Кол-во Цена без НДС, грн Купить от 1 шт от 377 шт от 1618 шт 2,00 1,33 1,24 Раздел: Транзистор биполярный   Один из ведущих поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды) Наименование производителя  BC850CW Маркировка  2G_2G-_2Gt_2GW_4Gs Тип материала  Si Полярность  NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc)  0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb)  50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce)  45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb)  5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic)  0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj)  150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft)  300 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc)  6 pf Статический коэффициент передачи тока (hfe)  520 Корпус транзистора  SOT323     Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки. Транзистор IGBT IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора. Транзисторы производства STMicroelectronics. Транзистор полевой MOSFET Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Транзисторы производства International Rectifier. Транзистор биполярный Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. Транзистор полевой СВЧ Сверхвысокочастотные полевые транзисторы Полный перечень транзисторов на складе

Поставляемые компоненты

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП