КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Серии источников питания HDR на DIN рейку с ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения 100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15   HDR-30   HDR-60   HDR-100   HDR-150  

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор биполярный
BC848BLT1G
Транзистор NPN 30В 100мА 0.31Вт 300МГц

На складе ...
Производитель: ONS
Тип корпуса: SOT23
код товара: 00-00058039

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 352 шт
от 1514 шт

2,00
1,42
1,32

Раздел:
Транзистор биполярный


 

Компания ON Semiconductor Corporation относится к тем производителям электронных компонентов, продукция которых может быть использована в широком круге «общих применений».
В производстве ON Semiconductor специализированные микросхемы и стандартные компоненты составляют приблизительно равные доли.


Производитель

 ON Semiconductor

Категория продукта

 Биполярные транзисторы - BJT

Вид монтажа

 SMD/SMT

ип корпуса

 SOT-23-3

Полярность транзистора

 NPN

Конфигурация

 Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 30 V

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 0.6 V

Максимальный постоянный ток коллектора

 0.1 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

 100 MHz

Рабочая температура

 - 55 C...+150 С

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 200

Pd - рассеивание мощности

 225 mW


 

 
 






Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзистор биполярный


Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей. На практике используются транзисторы обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p транзисторе дырки.

Транзистор IGBT Пластиковые

Транзистор IGBT
IGBT транзистор - Представляет собой интегральную монолитную структуру, которая симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.

Транзисторы производства STMicroelectronics.

Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика.

Транзисторы производства
International Rectifier.

Транзистор биполярный
Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов. Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и электронной проводимостей.

Транзистор полевой СВЧ
Сверхвысокочастотные полевые транзисторы

Полный перечень
транзисторов на складе


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП