Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)
Производитель
Nexperia
Тип корпуса
SOT-23-3
Полярность
транзистора
NPN
Конфигурация
Single
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
30 V
Напряжение
коллектор-база (VCBO)
30 V
Напряжение
эмиттер-база (VEBO)
5 V
Максимальный
постоянный ток коллектора
0.1 A
Произведение
коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Рабочая температура
- 65 C ... + 150
С
Коэффициент усиления
по постоянному току (hFE), макс.
200 at 2 mA at 5
V
Коллектор
постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки.
.jpg)
