Диод быстрый BAV21/A52R Диод Switching: 200 В, 1 x 0.25 А, Время восстановления: 50 нс, Падение напряжения на переходе: 1 В, Количество диодов в корпусе: 1, Емкость перехода: 5 пФ, Рабочая температура: -60...200 °C На складе ... Производитель: NEXPERIA Тип корпуса: DO-35 код товара: 00-00032908
Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)
BAV21/A52R
Основные
характеристики
Максимальное
обратное напряжение диода
200В
Прямое
падение напряжения
1.25В
Прямой
ток диода (средн)
625мА
Кол-во
диодов в корпусе
1
Диод быстрый
Быстродействующие диоды используются в преобразователях постоянного
тока в переменный. Каждый ключ (GTO, IGCT или IGBT) требует
дополнительного диода (например, для обратной реактивной мощности) с
целью преобразования постоянного тока в переменный при индуктивных
нагрузках.
Поставляемые компоненты
^ Наверх DIV >
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина