Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)
Производитель
NEXPERIA
Тип диода
импульсный
Монтаж
SMD
Обратное напряжение
макс.
200В
Падение напряжения
при If
1.25В
Прямой ток
250мА
Прямой ток макс.
625мА
Время готовности
50нс
Мощность
400мВт
Конструкция диода
одиночный диод
Характеристики
полупроводниковых элементов
быстрый диод
Корпус
SOD80
Импульсный ток
9А
Диод быстрый
Быстродействующие диоды используются в преобразователях постоянного
тока в переменный. Каждый ключ (GTO, IGCT или IGBT) требует
дополнительного диода (например, для обратной реактивной мощности) с
целью преобразования постоянного тока в переменный при индуктивных
нагрузках.
Поставляемые компоненты
^ Наверх DIV >
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина