Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)
Тип
корпуса
SOT323
Тип диода по назначению
Шоттки
Кол-во диодов в корпусе
2
Схема включения диодов
Последовательно
Максимальное обратное напряжение диода
70
В.
Прямой ток диода (средний)
70 мА
Емкость перехода
2
пФ.
Диод Шоттки Полупроводниковый диод с малым падением напряжения при
прямом включении. Диоды Шоттки используют переход
металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода,
как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение выпускаемых
диодов Шоттки ограничено 1200 В, на практике большинство диодов
Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении
порядка единиц и нескольких десятков вольт. их основные преимущества
- сниженное (по сравнению с «обычными» кремниевыми диодами) прямое
падение напряжения и отсутствие накопления заряда, задерживающего
выключение диода (т.е. потенциально лучшие частотные свойства).
Поставляемые компоненты
^ Наверх
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина
