Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор биполярный 2PD602ASL.215 Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 500 mA 180MHz 250 mW На складе ... Производитель: NEXPERIA Тип корпуса: SOT23 код товара: 00-00074461
Один из ведущих
поставщиков дискретных полупроводниковых элементов, логических
микросхем и устройств на основе канальных полевых униполярных
МОП-транзисторов (MOSFET), самостоятельная компания Nexperia
со штаб-квартирой в Неймегене (Нидерланды)
Производитель
Nexperia
Категория продукта
Биполярные
транзисторы - BJT
Вид монтажа
SMD/SMT
Тип корпуса
SOT-23-3
Полярность
транзистора
NPN
Конфигурация
Single
Напряжение
коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Напряжение
коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение
эмиттер-база (VEBO)
5 V
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
600 mV
Максимальный
постоянный ток коллектора
500 mA
Pd - рассеивание
мощности
250 mW
Произведение
коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
180 MHz
Рабочая температура
- 55 C ... + 150
C
Коллектор
постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
40
Коэффициент усиления
по постоянному току (hFE), макс.
Биполярный
транзистор состоит из трех слоев полупроводника и двух PN-переходов.
Различают PNP и NPN транзисторы по типу чередования дырочной и
электронной проводимостей. На практике используются транзисторы
обоих типов, принцип действия их одинаков. Основными носителями
заряда в транзисторе n–p–n типа являются электроны, а в p–n–p
транзисторе дырки.
.jpg)
