КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

Серии источников питания HDR на DIN рейку с ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения 100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15   HDR-30   HDR-60   HDR-100   HDR-150  

 

Особенности IGBT компании STMicroelectronics
 

Линейка IGBT-транзисторов компании STMicroelectronics включает IGBT с рабочим напряжением 400 В для силовых инверторов, IGBT с рабочим напряжением 600 В для мостовых и полумостовых драйверов управления электродвигателями в стационарных устройствах и IGBT с рабочим напряжением 900...1300 В для силовых модулей и систем управления электродвигателями электромобилей. А если добавить сюда интеллектуальные IGBT-модули SLLIMM мощностью от 300 Вт до 2 кВт для бытовой электротехники и индустриальных применений средней мощности, то понятно, что в IGBT-меню от STM есть блюда на любой вкус.

IGBT


IGBT-транзисторы компании ST

Все выпускаемые компанией ST IGBT транзисторы можно разделить на три основные категории:

1. IGBT с рабочим напряжением 400 В для силовых инверторов,

2. IGBT с рабочим напряжением 600 В для мостовых и полумостовых драйверов управления электродвигателями в стационарных устройствах,

3. IGBT с рабочим напряжением 900...1300 В для силовых модулей и систем управления электродвигателями электромобилей.

Наиболее массовой является категория транзисторов с рабочим напряжением 600 В.

В таблицах 1, 2, 3 показаны характеристики некоторых IGBT каждой из указанных категорий.
 

Таблица 1. IGBT с рабочим напряжением 400 В
 
Наименование Напря-жение коллектор-эмиттер (Vces) max, В Ток кол-лектора (I_C) (@ Tc = 100°C) max, А Vce(sat)
(при Tc = 125°C) тип., В 		Ток кол-лектора(IC_DC) (@ Vce(sat)) тип., А Потери на пере-ключение (Eoff) (при Tc=125°C) тип, мДж Анти парал-лельные диоды Частота переклю-чения max, кГц Рассеива-емая мощность(PD) max, Вт Тип корпуса

купить - жми на ссылку ниже

STGB10NB37LZ

410

10

1,3

20

8,7

–

1

125

D2PAK

STGP10NB37LZ

410

10

1,3

20

8,7

–

1

125

TO-220

STGB10NB40LZ

410

10

1,3

20

8,7

–

1

150

D2PAK

STGB18N40LZ

390

30

1,3

10

–

–

1

125

D2PAK; TO-220

STGD18N40LZ

390

25

1,3

10

–

–

1

125

DPAK; IPAK

STGP18N40LZ

390

30

1,3

10

–

–

1

150

TO-220

STGB20NB37LZ

400

20

1,3

20

17,8

–

1

200

D2PAK

STGB20NB41LZ

410

20

1,3

20

18,4

–

1

200

D2PAK

STGB35N35LZ

350

30

1,35

15

–

–

1

176

D2PAK; TO-220

STGP35N35LZ

350

30

1,35

15

–

–

1

176

TO-220

 

Таблица 2. IGBT с рабочим напряжением 600 В и током более 50 А

 

Наименование Напря-жение коллектор-эмиттер (Vces) max, В Ток кол-лектора (I_C) (@ Tc = 100°C) max, А Vce(sat) (при Tc = 125°C) тип., В Ток кол-лектора(IC_DC) (@ Vce(sat)) тип., А Потери на пере-ключение (Eoff) (при Tc=125°C) тип, мДж Анти парал-лельные диоды Частота переклю-чения max, кГц Рассеива-емая мощность (PD) max, Вт Тип корпуса

купить - жми на ссылку ниже

STGE50NC60VD

600

50

1,7

40

1.4

Ultra Fast

50

260

ISOTOP

STGE50NC60WD

600

50

1,9

40

0,9

Ultra Fast

100

260

ISOTOP

STGW50H60DF

600

50

2,1

50

1,1

Ultra Fast

50

360

TO-247

STGW50HF60S

600

60

1,05

30

7,8

No

1

284

TO-247

STGW50HF60SD

600

50

1,05

30

7,8

Low Drop

1

284

TO-247

STGW50NC60W

600

50

1,9

40

0,9

–

100

278

TO-247

STGY50NC60WD

600

50

1,9

40

0,9

Ultra Fast

100

278

Max247

STGWA60NC60WDR

600

60

1,9

40

0,9

Ultra Fast

100

340

TO-247 long leads

STGW60H65F

650

60

2,1

60

1,4

–

100

360

TO-247

STGE200NB60S

600

150

1,2

150

92

–

1

600

ISOTOP

 

Таблица 3. IGBT с рабочим напряжением 900...1300 В

 
Наименование Напря-жение коллектор-эмиттер (Vces) max, В Ток Кол-лектора (I_C) (@ Tc = 100°C) max, А Vce(sat) (при Tc = 125°C) тип., В Ток кол-лектора (IC_DC) (@ Vce(sat)) тип., А Потери на переклю-чение (Eoff) (при Tc=125°C) тип, мДж Анти парал-лельные диоды Частота переклю-чения max, кГц Рассеива-емая мощность(PD) max, Вт Тип корпуса

купить - жми на ссылку ниже

STGW30N90D

900

30

2

20

6,9

Ultra Fast

20

220

TO-247

STGF3NC120HD

1200

3

2,2

3

0,6

Ultra Fast

20

25

TO-220FP

STGD5NB120SZ

1200

5

1,2

5

10

–

1

75

DPAK; IPAK

STGB3NC120HD

1200

7

2,2

3

0,6

Ultra Fast

20

75

D2PAK

STGP3NC120HD

1200

7

2,2

3

0,6

Ultra Fast

20

75

TO-220

STGW25H120DF

1200

25

2,3

25

1,5

Ultra Fast

20

330

TO-247

STGW30N120KD

1200

30

2,7

20

5,8

Ultra Fast

20

220

TO-247

STGW30NC120HD

1200

30

2

20

6,9

Ultra Fast

20

220

TO-247

STGW35NC120HD

1200

34

2

20

6,9

Ultra Fast

20

250

TO-247-ll

STGW40N120KD

1200

40

2,7

30

9,3

Ultra Fast

20

240

TO-247

STGW38IH130D

1300

33

2

20

6,4

Ultra Fast

20

250

TO-247;TO-247-ll

STGWT38IH130D

1300

33

2

20

6,4

Ultra Fast

20

250

TO-3P


 

В начале 1980-х годов была создана полупроводниковая технология, объединяющая преимущества высокого входного сопротивления МОП-транзисторов и низкого сопротивления и малого времени переключения биполярных транзисторов. Выпускаемые по этой технологии приборы получили название «биполярный транзистор с изолированным затвором» (Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBT). Транзисторы быстро заняли достойное место на рынке приложений, для которых требовалось большой рабочий ток (десятки Ампер), высокое рабочее напряжение (400 В и более) и высокая частота переключения (более 100 кГц). Основными производителями IGBT-транзисторов являются компании IR, Fairschild, Infineon и ST.

В данной статье будут рассмотрены принципы работы IGBT-транзисторов, IGBT транзисторы компании ST и интеллектуальные силовые модули компании ST, основанные на IGBT-транзисторах.

Что такое IGBT-транзисторы?

Биполярные транзисторы с изолированным затвором - это приборы на неосновных носителях заряда с высоким входным импедансом, характерным для полевых транзисторов, и большим допустимым током в открытом состоянии, характерным для биполярных транзисторов. Большинство разработчиков рассматривают IGBT как приборы с входными характеристиками МОП-транзисторов и выходными характеристиками биполярных транзисторов, которые объединены в управляемый напряжением биполярный транзистор. Транзисторы со структурой IGBT были созданы, чтобы использовать преимущества силовых MOSFET и биполярных транзисторов. В результате появились приборы с функциональной интеграцией силовых MOSFET и биполярных транзисторов в монолитном виде. IGBT соединяют в себе лучшие качества обоих типов.

IGBT можно использовать во многих приложениях силовой электроники, особенно в драйверах систем управления с широтно-импульсной модуляцией (ШИМ) для сервомоторов и трехфазных асинхронных двигателей, для которых требуется большой динамический диапазон управления и малый уровень электромагнитных помех. Кроме того, IGBT можно использовать в источниках бесперебойного питания (ИБП, UPS), импульсных источниках питания (SMPS), и других силовых схемах, для которых требуется высокая частота переключения. IGBT позволяют улучшить динамическую производительность и эффективность, и уменьшают уровень электромагнитных излучений. Они великолепно подходят для схем конвертеров, работающих в резонансном режиме.

Доступны IGBT, оптимизированные как для низких значений потерь, связанных с конечной проводимостью, так и для низких значений потерь, связанных с зарядом переключения.

IGBT, по сравнению с силовыми MOSFET и биполярными транзисторами имеют следующие основные преимущества:

1. В открытом состоянии из-за модуляции проводимости они имеют очень маленькое падение напряжения и чрезвычайно большую допустимую плотность. Возможность изготовления транзисторов в миниатюрных корпусах значительно снижает их стоимость.

2. Малая мощность управления и простая схема управления за счет МОП-структуры входного каскада. Обеспечивают возможность более простого управления, чем для приборов с токовым управлением (тиристор, биполярный транзистор) в высоковольтных и высокочастотных приложениях.

3. Широкая область надежной работы (SOA). Приборы имеют большую возможность проводить ток по сравнению с биполярными транзисторами. Кроме того, транзисторы хорошо проводят ток в прямом направлении и практически не проводят в обратном.

 
 


Поставляемые компоненты










^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП