Как купить...

Новые MOSFET в корпусе SOT-23

на складе в Харькове

Новые MOSFET в корпусе SOT-23

Серия MOSFET в корпусе SOT-23 изначально не была предназначена для мощных применений, поскольку возможности для рассеивания тепла у корпуса очень скромны. Однако значительное уменьшение сопротивления ключа в открытом состоянии позволило значительно расширить диапазон коммутируемых токов. В сочетании с малой ценой этот тип корпуса стал особенно привлекателен для использования в мобильном секторе и для бюджетных маломощных преобразователей напряжения.

Основные требования для MOSFET-транзисторов, используемых в данных приложениях:

• Низкое значение сопротивления в открытом состоянии- Rds(on);

• Температурная стабильность без использования радиатора;

• Низкое пороговое напряжение затвора Vth;

• Конкурентная низкая цена.

Новое семейство p- и n-канальных MOSFET компании IR (см. таблицу 3) в стандартном корпусе SOT-23 имеет ультранизкое сопротивление открытого канала Rds(on) и предназначено для применения в зарядных устройствах аккумуляторных батарей, коммутаторах нагрузки, электроприводах, телекоммуникационном оборудовании, а также для использования в других приложениях.

Таблица 3. Параметры новых MOSFET в корпусах SOT-23  

Новая линейка транзисторов перекрывает диапазон напряжений -30...100 В и имеет различные значения Rds(on) и заряда затвора (Qg), что обеспечивает широкий выбор при разработке компактных, эффективных, в том числе и по цене, решений.

Что отличает новые транзисторы в корпусе SOT-23 от предыдущих? Ответ можно получить, изучив технологию изготовления кристалла для данного корпуса.

На рис. 1 показана эволюция технологий компании International Rectifier, применяемых при изготовлении кристаллов для MOSFET в корпусах SOT-23.

Рис. 1. Эволюция технологий IR для MOSFET в корпусе SOT-23

Новые технологии изготовления кристалла обеспечили MOSFET в корпусе SOT-23 преимущество перед основными конкурентами. При сохранении прежних размеров кристалла были получены более низкие значения Rds(on) и температурного сопротивления Rth(ja). В результате были достигнуты лучшие температурные параметры для корпуса SOT-23. Компания IR выпускает транзисторы в корпусах SOT-23 с кристаллами, изготовленными по технологиям Gen 10.7, 10.59, 12.1 и 12.2.

Обратите внимание - система обозначений

Система обозначений MOSFET в корпусе SOT-23

В обозначении MOSFET в корпусе SOT-23 содержится расшифровка управляющего напряжения на затворе, типа корпуса, технологии кристалла, уровня напряжения на стоке и размер кристалла. Пример обозначения нового транзистора в корпусе SOT-23:

IR L ML 6 2 44 TR PBF.

L - уровни управляющих напряжений (тип управления):

• F - только стандартный или стандартный с возможностью управления логическими уровнями напряжений;

• L - управление логическими уровнями, а также возможность управления низкими логическими уровнями сигналов.

Стандартный тип - транзистор открыт при уровнях напряжения на затворе 10...20 В.

Логический уровень - транзистор открыт при напряжении на затворе 4,5 В (max Vgs 16 или 12 В).

Низкие уровни управления - транзистор открыт при низком напряжении на затворе 2,5 В (max Vgs 8 В)

ML - тип корпуса:

• Нет суффикса- SO-8 или DirectFET;

• H - PQFN 5x6;

• HM - PQFN 3,0x3,0 или 3,3x3,3;

• HS - PQFN 2x2;

• R - DPAK;

• T - TSSOP-8;

• TS - TSOP-6;

• ML - SOT-23.

1-я цифра - технология:

• 6 - Gen 12.2 (напряжение на затворе 12 В);

• 8 - Gen 10.59 (напряжение на затворе 20 В);

• 9 - Gen 12.1 (напряжение на затворе 20/25 В);

• 2 - Gen 12.1 (напряжение на затворе 12 В ).

2-я цифра - Максимальное напряжение на стоке:

• 3 - 30 В;

• 2 - 25 или 20 В.

3-я и 4-я цифры - размер кристалла:

• Один кристалл в корпусе - от 0 до 49;

• Два кристалла - от 50 до 79 (Single +30).

Внимание! Система обратная: чем выше номер, тем меньше размер кристалла!