Компания International Rectifier (IR) является признанным мировым лидером в
разработке и производстве MOSFET-транзисторов. Отличительной
особенностью MOSFET-транзисторов последних лет является сочетание
ультранизкого сопротивления открытого канала и высокие динамические
характеристики. В статье рассматриваются новые изделия, пополнившие
линейку N-канальных MOSFET в последнее время.
International Rectifierпредставил
семейство новых HEXFET MOSFET, имеющих ультранизкое сопротивление
открытого канала (RDS(on)) в стандартном корпусеSOT-23,
предназначенных для различного применения, например, в
переключателях аккумуляторных батарей, переключателях нагрузки,
электроприводах, телекоммуникационном оборудовании и других
применениях.
Компания International
Rectifier (IR) проводит расширение номенклатуры MOSFET по различным
направлениям, одно из которых - достижение совершенных электрических
параметров транзисторов: уменьшение сопротивления канала в открытом
состоянии, уменьшение паразитных сопротивлений, емкостей и
индуктивностей выводов, увеличение рабочих токов, повышение рабочих
напряжений, уменьшение заряда затвора, увеличение быстродействия.
Другое связано с увеличением эффективности использования приборов в
готовых изделиях и обеспечением высоких удельных показателей по току
и передаваемой мощности.
на складе в Харькове
Новые MOSFET в
корпусе SOT-23
Серия MOSFET в корпусе SOT-23
изначально не была предназначена для мощных применений, поскольку
возможности для рассеивания тепла у корпуса очень скромны. Однако
значительное уменьшение сопротивления ключа в открытом состоянии позволило
значительно расширить диапазон коммутируемых токов. В сочетании с малой
ценой этот тип корпуса стал особенно привлекателен для использования в
мобильном секторе и для бюджетных маломощных преобразователей напряжения.
Основные требования для
MOSFET-транзисторов, используемых в данных приложениях:
Низкое значение сопротивления в открытом
состоянии- Rds(on);
Температурная стабильность без использования
радиатора;
Низкое пороговое напряжение затвора Vth;
Конкурентная низкая цена.
Новое семейство p- и n-канальных
MOSFET компании IR (см. таблицу 3) в стандартном корпусе SOT-23 имеет
ультранизкое сопротивление открытого канала Rds(on) и предназначено для
применения в зарядных устройствах аккумуляторных батарей, коммутаторах
нагрузки, электроприводах, телекоммуникационном оборудовании, а также для
использования в других приложениях.
Таблица 3. Параметры новых MOSFET в
корпусах SOT-23
Новая линейка транзисторов
перекрывает диапазон напряжений -30...100 В и имеет различные значения Rds(on)
и заряда затвора (Qg), что обеспечивает широкий выбор при разработке
компактных, эффективных, в том числе и по цене, решений.
Что отличает новые транзисторы в
корпусе SOT-23 от предыдущих? Ответ можно получить, изучив технологию
изготовления кристалла для данного корпуса.
На рис. 1 показана эволюция
технологий компании International Rectifier, применяемых при изготовлении
кристаллов для MOSFET в корпусах SOT-23.
Рис. 1. Эволюция
технологий IR для MOSFET в корпусе SOT-23
Новые технологии изготовления
кристалла обеспечили MOSFET в корпусе SOT-23 преимущество перед основными
конкурентами. При сохранении прежних размеров кристалла были получены
более низкие значения Rds(on) и температурного сопротивления Rth(ja). В
результате были достигнуты лучшие температурные параметры для корпуса
SOT-23. Компания IR выпускает транзисторы в корпусах SOT-23 с кристаллами,
изготовленными по технологиям Gen 10.7, 10.59, 12.1 и
12.2.
Новые MOSFET с логическим уровнем управления
затвором в корпусе SOT-23
В обозначении MOSFET в корпусе
SOT-23 содержится расшифровка управляющего напряжения на затворе, типа
корпуса, технологии кристалла, уровня напряжения на стоке и размер
кристалла. Пример обозначения нового транзистора в корпусе SOT-23:
IR L ML 6 2 44 TR PBF.
L - уровни управляющих напряжений
(тип управления):
F - только стандартный или стандартный с
возможностью управления логическими уровнями напряжений;
L - управление логическими уровнями, а также
возможность управления низкими логическими уровнями сигналов.
Стандартный тип - транзистор
открыт при уровнях напряжения на затворе 10...20 В.
Логический уровень - транзистор
открыт при напряжении на затворе 4,5 В (max Vgs 16 или 12 В).
Низкие уровни управления -
транзистор открыт при низком напряжении на затворе 2,5 В (max Vgs 8 В)
ML - тип корпуса:
Нет суффикса- SO-8 или DirectFET;
H - PQFN 5x6;
HM - PQFN 3,0x3,0 или 3,3x3,3;
HS - PQFN 2x2;
R - DPAK;
T - TSSOP-8;
TS - TSOP-6;
ML - SOT-23.
1-я цифра - технология:
6 - Gen 12.2 (напряжение на затворе 12 В);
8 - Gen 10.59 (напряжение на затворе 20 В);
9 - Gen 12.1 (напряжение на затворе 20/25 В);
2 - Gen 12.1 (напряжение на затворе 12 В ).
2-я цифра -
Максимальное напряжение на стоке:
3 - 30 В;
2 - 25 или 20 В.
3-я и 4-я цифры
- размер кристалла:
Один кристалл в корпусе - от 0 до 49;
Два кристалла - от 50 до 79 (Single +30).
Внимание! Система обратная: чем
выше номер, тем меньше размер кристалла!
Поставляемые компоненты
^ Наверх DIV >
Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина